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电子元器件详细资料 » IC[27107] » SIS434DN-T1-GE3
型号:SIS434DN-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8描述:MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 1212-8

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 1212-8
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C35A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C7.6 毫欧 @ 16.2A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs40nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1530pF @ 20V
功率_最大52W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
包装带卷 (TR)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市俊晖半导体有限公司李先生【原装正品,可开发票】13410941925
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
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深圳市珩瑞科技有限公司李小姐86-0755-82578309/18898790342
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SIS434DN-T1-GE3相关型号

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